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俄科学家发现改进磁传感器方法

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-03-30  来源:科技部  
核心提示:俄罗斯科学院发布消息称,其西伯利亚分院克拉斯诺亚尔斯克科学中心(联邦研究中心)基连斯基物理研究所的科学家首次发现,由金属(铁磁体)、氧化物和硅衬底(半导体)组成的混合结构具有高磁阻值,该结构的电阻可随光学效应发生改变,并可通过磁场来控制电压。
       俄罗斯科学院发布消息称,其西伯利亚分院克拉斯诺亚尔斯克科学中心(联邦研究中心)基连斯基物理研究所的科学家首次发现,由金属(铁磁体)、氧化物和硅衬底(半导体)组成的混合结构具有高磁阻值,该结构的电阻可随光学效应发生改变,并可通过磁场来控制电压。该效应的本质是混合结构中的电子在移动时,对磁场更为敏感。利用这一特性,可制造具有特定磁导率的材料,研制出由磁场控制的电子设备,并扩展现有磁传感器性能。

 此外,据研究专家介绍,这种基于半导体形成的混合结构与现代电子产品的工艺基础——CMOS技术(互补金属氧化物半导体)完全兼容。目前,俄科学家正在继续研究混合结构以及其它成分和组态的导电性。

 




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